1. 플럭스 농도가 부족하거나 과도한 염화아연의 영향은 무엇입니까?
집중력 부족:
공작물 표면의 산화막이 완전히 용해되지 않아 잔류 산화막이 발생합니다. 이 잔류 산화막은 아연 용액과 가공물 기판의 결합을 방해하여 도금 생략(코팅 부분 누락), 코팅 접착력 저하, 심지어 "검은색 가장자리" 및 "버블링" 현상까지 유발합니다.
과도한 집중:
플럭스 점도가 증가하고 과잉 염화아연 용액이 공작물 표면에 쉽게 남습니다. 이 잔류 용액은 아연 단지에 들어갈 때 아연 용액과 격렬하게 반응하여 다량의 아연 슬래그를 생성합니다. 이 아연 슬래그는 코팅 표면에 달라붙어 거칠기, 결절성 돌기, 반점을 유발하고 아연 소비량과 그에 따른 청소 비용을 증가시킵니다. 더욱이 염화아연 농도가 높으면 쉽게 결정화되어 작업물 표면에 플럭스 적용 범위가 고르지 않고 코팅이 "얼룩덜룩"해질 수 있습니다.
2. 염화암모늄 농도가 부족하거나 과다하면 어떤 영향이 있나요?
집중력 부족:
플럭스의 녹는점이 증가하여 저온에서 염화아연 결정화가 더 쉽게 발생합니다. 이로 인해 작업물 표면에 플럭스 코팅이 고르지 않게 됩니다(일부 영역에는 보호 필름이 없음). 또한, pH 값을 효과적으로 완충하지 못하여 염화아연이 가수분해되어 수산화아연 침전물(ZnCl²+ 2H²O ⇌ Zn(OH)²↓ + 2HCl)을 형성하게 됩니다. 이 침전물은 작업물 표면에 부착되어 "백색 성에"를 형성하고 아연 코팅에 핀홀과 기공을 유발합니다(침전물은 아연욕과 반응하여 가스를 생성함). 또한 가공물은 플럭스 처리 후 아연욕에 들어가기 전에(완전한 보호막이 없기 때문에) 2차 산화에 취약하여 코팅이 검은색이나 회색으로 나타날 수 있습니다.
과도한 집중:
플럭스는 휘발성을 증가시켜(NH₄Cl은 가열 시 쉽게 NH₃ 및 HCl로 분해됨) 플럭스 탱크에 높은 수준의 연기를 발생시켜 환경을 오염시키고 조성 변동을 유발합니다. 동시에 과도한 NH₄Cl은 가공물 표면에 느슨한 "염막"(촘촘한 보호막이 아닌)을 형성합니다. 이 필름은 아연 액체와 접촉할 때 급속히 분해되고 가스가 생성되는 경향이 있어 코팅에 조밀한 기공과 구멍이 생깁니다. 또한 필름이 너무 두꺼워 아연액이 작업물에 고르게 침투할 수 없어 "도금 두께가 고르지 않게" 될 수 있습니다.
3.활성화제(염화주석 SnCl2, 염화안티몬 SbCl₃, 염화제2동 CuCl2 등)의 효과는 무엇인가요?
적절하게 첨가하면 도금 누락률을 크게 줄일 수 있어 코팅이 더욱 균일해지고 결합 강도가 향상됩니다.
과도하게 첨가하면 플럭스의 과도한-활성으로 이어질 수 있으며 잠재적으로 기판(특히 얇은 강판)을 부식시켜 코팅이 더 얇아지고 하얗게 될 수 있습니다. 또한 금속간 단괴(예: Sn-Zn 합금 단괴)가 코팅 표면에 형성되어 코팅이 거칠어질 수도 있습니다.
4.안정제(불화나트륨NaF, 불화칼륨KF 등)의 효과는 무엇입니까?
적절하게 첨가하면 고-실리콘 및 고-망간 가공물의 도금 건너뛰기 문제를 해결하고 코팅 얼룩을 줄일 수 있습니다.
과도하게 첨가하면 금속 플럭스 탱크와 행거가 부식될 수 있습니다. 또한 Zn²⁺와 반응하여 ZnF2 침전물을 형성하여 플럭스의 혼탁을 유발하고 작업물 표면에 잔류 침전물을 발생시켜 코팅에 "개재물"을 초래할 수 있습니다.
5. 부식 억제제(예: 헥사메틸렌테트라민, 폴리에틸렌 글리콜 및 기타 유기 화합물)의 효과는 무엇입니까?
적절하게 첨가하면 가공물의 표면 조도가 유지되고 코팅이 더욱 부드러워집니다.
과도한 첨가는 작업물 표면에 "유기막"을 형성하여 플럭스와 산화막 사이의 반응을 방해하고 플럭스 효과를 감소시키며 코팅의 접착력을 약화시킬 수 있습니다.